PLASMA等離子處理在有機場效應晶體管（OFET）制備中的使用
有機場效應晶體管（OFETS）是一種有源器材，能夠經過改動柵極電壓來改動半導體層的導電才能，然后操控經過源漏電極的電流。作為電路中的根本單元，有機場效應晶體管具有功耗低、阻抗高、柔性、低成本、可大面積生產等優勢，得到了廣泛關注并獲得長足的發展。它的組成元器材首要包含電極、有機半導體、絕緣層和襯底，它們對OFET的功能有著非常重要的影響。電極、有機半導體、絕緣層和襯底部分都能夠經過PLASMA等離子處理，提高資料的功能。
一、襯底資料 ——PLASMA等離子處理，去除襯底外表雜質，進步外表活性
襯底一般在晶體管的底層，在器材中首要起著支撐的作用。包含資料：玻璃、硅片、石英、聚碳酸酯（PC）、聚乙烯萘（PEN）、聚酰亞胺（PI）、聚乙烯（PET）等可用作OFET的襯底資料。無機襯底具有熔點高，外表潤滑等長處，比如玻璃，硅片和石英。聚合物襯底盡管外表粗糙，但這些資料的突出長處是柔性可曲折，比如聚乙烯萘（PEN），聚乙烯（PET）。在準備階段，需要對襯底資料進行PLSAMA等離子處理，去除襯底外表雜質，進步外表活性，可選用善準VP-S/VP-R/VP-Q系列來處理襯底資料。
二、電極資料——PLASMA等離子處理，進步功函數
電極是有機場效應晶體管（OFET）中另一個重要的組成部分。在有機半導體/電極界面處，一般認為當界面勢壘高度△E＜0.4eV時，電極與有機半導體層之間能構成歐姆觸摸，關于P型OFET，較高已占軌道(HOMO)能級處于-4.9eV到-5.5eV之間，需選用功函數較高的資料，常用的有Au（-4.8eV-5.1eV）和ITO（-5.1eV）。一般的ITO的功函數偏低，需要進步功函數，因而能夠使用善準13.56MHz頻率VP-R3等離子處理儀來進步ITO的功函數。
三、絕緣層資料—— PLASMA等離子潤飾二氧化硅外表，進步相容性
在器材作業時，電荷首要在半導體與絕緣層界面上積累并傳輸，為保證柵電極與有機半導體間的柵極漏電流較小，要求絕緣層資料具有較高的電阻，亦即要求具有很好的絕緣性?，F在常用的絕緣層資料首要是無機絕緣層資料，如無機氧化物，其間二氧化硅是有機場效應晶體管中普遍選用的絕緣層，但由于二氧化硅的外表存在一定的缺陷，加上它與有機半導體資料的相容性較差。因而需要用等離子處理對二氧化硅外表進行潤飾，經試驗可知頻率13.56MHz的VP-R系列處理作用建議。
四、有機半導體資料—— PLASMA
等離子活化和改性處理，進步遷移率
現在，有機半導體資料首要分為小分子及聚合物兩大類。從溝道載流子視點區分，有機半導體可分為P型半導體和N型半導體。P型半導體中多數載流子為空穴，N型半導體中多數載流子為電子。P型半導體除了必需的穩定性外，還要具有以下幾個條件：（1）HOMO 能級較高，有利于和電極構成歐姆觸摸，以便空穴順暢注入；（2）具有較強的給電子才能。常用資料包含：稠環芳香烴，如并五苯（Pentacene）、紅熒烯（Rubrene）；聚合物，如聚（3-己基噻吩）（P3HT），能夠經過等離子處理對有機半導體進行活化和改性。同時，經過等離子潤飾的絕緣層外表，有利于有機資料沉積更均一性，更平整，這樣大大進步了器材的遷移率，進步器材的功能，經過測試善準VP-R和VP-Q系列對有機半導體活化和改性作用顯著，能很好地提高資料的功能。
